PAMĚŤ ROM

Paměti ROM jsou paměti, které jsou určeny pouze pro čtení informací. Informace jsou do těchto pamětí pevně zapsány při jejich výrobě a potom již není možné žádným způsobem jejich obsah změnit. Jedná se tedy o statickou, energeticky nezávislou paměť určenou pouze ke čtení. Při výrobě tohoto typu paměti se používá nejčastěji některé z následujících realizací paměťových buněk. Paměťová buňka paměti ROM může být realizována jako dvojice nespojených vodičů a vodičů propojených přes polovodičovou diodu. V prvním případě nemůže žádným způsobem hodnota logická 1 přejít z adresového vodiče na vodič datový. Jedná se tedy o buňku, ve které je permanentně uložena hodnota 0. V případě druhém hodnota logická 1 přejde z adresového vodiče přes polovodičovou diodu na vodič datový. Toto zapojení představuje tedy paměťovou buňku s hodnotou 1. Dioda je zapojena tak, aby hodnota logická 1 mohla přejít z adresového vodiče na datový, ale nikoliv v opačném směru, což by vedlo k jejímu šíření po velké části paměti. Jednotlivé buňky paměti ROM je také možné realizovat pomocí tranzistorů, a to jak v technologii TTL, tak v technologiích MOS.

ROM (Programované maskou)
- unipolární technologie
- při výrobě se tranzistor v buňce udělá (neudělá) hradlo
- vysoká hustota integrace, velká kapacita
- pro často se opakujicí aplikace (generátory alfanum. znaků pro displeje, překladače pro uP systémy...)


Ř=1 : vybraný řádek
S1 : T se otevře, uzemní S1, proud z U_DD přes R do uzlu
S2 : T nemá hradlo, S2=1





PROM (Programmable ROM)
- unipolární technologie shodná s EPROM
- bipolární:


- spojka z materiálu, který lze snadno přepálit vyšším proudem
- na vybrané místo se přivede -0,7 V, U_CC se zvýší z 5 na +10V => proud přepálí spojku
- použití PROM: uložení programů v mikroprogramových automatech, realizace kombinačních logických obvodů



EPROM (Erasable PROM - mazatelné PROM)
- technologie FAMOS


Programování: lavinovým průrazem se nabije (-) na plovoucí hradlo, (-) náboj na plovoucím hradle ruší (+) přivedené na Ř a hradlo, T se pak neotevře a na S bude "1" (otevře = uzemní S).

Mazání: působení UV záření => fotoelektrický proud odvede náboj z plovoucího hradla


- opakovatelný proces (desítky přeprogramování)
- složité zapouzdření (okénko na mazání)
- programování v přípravku, programovací zařízení (ovládání vstupů paměti a časování)
- užití jako paměť programu


EEPROM (Electrically EPROM)
- izolované hradlo má výběžek v izolantu k polovodiči => tenká vrstvička izolantu mezi iz. hradlem a polovodičem => možný tunelový jev
- izolované hradlo se nabije (-), využití stejné jako EPROM

- výběrový tranzistor + paměťový
- é na iz. hradle zabrání vzniku kanálu a uzemnění sloupce => v buňce je "1"
- programování zvýšením napětí (é se dostanou na iz. hradlo tunelováním)
- mazání: uzemnění řídícího hradla, povrch polovodiče je (+) vůči hradlu, é se odvádí zpět (= prog. nuly)
- desítky tisíc přepisů, mazání i zápis pomalé (ms)


FLASH
buňka:

- opět technologie s plovoucím (izolovaným) hradlem
- hradlo se nabíjí lavinovým průrazem jako u EPROM (rychlejší), vybíjí se tunelováním jako EEPROM (pomalé, málo účinné)
- kvůli zjednodušení technologie se maže najednou celá paměť (přepsat = celá smazat a pak zapsat)
Flash velkého rozsahu: rozdělení pamětí na sektory, s těmi se pracuje zvlášť.

	Programování	Mazání
EPROM	rychlé (řádově us)	10ky minut, vyndat z patice, osvítit
EEPROM	1 ms	totéž co programování 0
FLASH	1 ms	celá najednou (1s)